ترانزیستور FQP4N60C

کد محصول: A112R01
استعلام قیمت
  • این ترانزیستور دارای مشخصات مشابه با ترانزیستورهای FQPF7N60 و FQPF10N60C می باشد.
  • N-Channel Power MOSFET
  • ماسفت نوع N مورد استفاده در کاربردهای عمومی
  • VDSS = 600V
  • ID = 4.4A
  • PD = 106W (@TC = 25°C)
  • RDS (ON) = 1.77Ω
استعلام قیمت و موجودی
  • مشخصات محصول
  • توضیحات
  • نظرات
پکیجTO-220
MOSFET یا Metal Oxide Semiconductor FET یک ترانزیستور اثر میدان با ولتاژ کنترل شده می باشد.این ترانزیستور ها دارای گیت عایق شده هستند،یعنی گیت با لایه اکسید سیلیکون از کانال اصلی عبور جریان جدا می شود و هیچ جریانی از گیت نمی گذرد،به همین خاطر ماسفت ها شبیه یک مقاومت کنترل ولتاژ عمل می کند،همچنین دارای امپدانس (مقاومت) ورودی فوق العاده زیادی می باشند.

ماسفت‌ها قطعاتی با سه ترمینال گیت (Gate)، درین (Drain) و سورس (Source) و در دو نوع ماسفت کانال P یا PMOS و ماسفت کانال N یا NMOS هستند:

در NMOS ها Vgs>Vth یعنی این نوع ماسفت ها با ولتاژی بیشتر از ولتاژ آستانه درایو (راه اندازی) می شوند.

در PMOS ها Vgs<Vth یعنی این نوع ماسفت ها با ولتاژی کمتر از ولتاژ آستانه درایو (راه اندازی) می شوند.

هنوز نظری ثبت نشده

اولین نفری باشید که نظر می‌دهید

ثبت نظر

نظر شما راجع به این محصول چیست؟

ترانزیستور FQP4N60C
چه امتیازی به این محصول میدهید.

ذخیره انصراف

​خرید از سایت فقط به صورت استعلام قیمت و موجودی می باشد.
کالاهای موردنظر خود را به لیست استعلام اضافه نمایید و سفارش خود را ثبت کنید.
پس از ثبت سفارش موجودی و قیمت به شما اطلاع داده خواهد شد و در صورت تایید ، سایر مراحل خ​​​​​​​رید با شما هماهنگ می شود.

سبد خرید

رمز عبورتان را فراموش کرده‌اید؟

ثبت کلمه عبور خود را فراموش کرده‌اید؟ لطفا شماره همراه یا آدرس ایمیل خودتان را وارد کنید. شما به زودی یک ایمیل یا اس ام اس برای ایجاد کلمه عبور جدید، دریافت خواهید کرد.

بازگشت به بخش ورود

کد دریافتی را وارد نمایید.

بازگشت به بخش ورود

تغییر کلمه عبور

ذخیره انصراف

تغییر کلمه عبور

ذخیره انصراف

حساب کاربری من

ذخیره انصراف

سفارشات

مشاهده سفارش