ترانزیستور IRF730

MOSFET یا Metal Oxide Semiconductor FET یک ترانزیستور اثر میدان با ولتاژ کنترل شده می باشد.این ترانزیستور ها دارای گیت عایق شده هستند،یعنی گیت با لایه اکسید سیلیکون از کانال اصلی عبور جریان جدا می شود و هیچ جریانی از گیت نمی گذرد،به همین خاطر ماسفت ها شبیه یک مقاومت کنترل ولتاژ عمل می کند،همچنین دارای امپدانس (مقاومت) ورودی فوق العاده زیادی می باشند.

ماسفت‌ها قطعاتی با سه ترمینال گیت (Gate)، درین (Drain) و سورس (Source) و در دو نوع ماسفت کانال P یا PMOS و ماسفت کانال N یا NMOS هستند:

در NMOS ها Vgs>Vth یعنی این نوع ماسفت ها با ولتاژی بیشتر از ولتاژ آستانه درایو (راه اندازی) می شوند.

در PMOS ها Vgs<Vth یعنی این نوع ماسفت ها با ولتاژی کمتر از ولتاژ آستانه درایو (راه اندازی) می شوند.